Toshiba TK12J60W,S1VQ(O MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

300 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20мм

Прямое напряжение диода

1.7V

Страна происхождения

Japan