Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Texas Instruments CSD16321Q5 MOSFET

Код товара RS: 162-8526Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD16321Q5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.1мм

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments CSD16321Q5 MOSFET

P.O.A.

Texas Instruments CSD16321Q5 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

VSON-CLIP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

3,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.9V

Максимальное рассеяние мощности

3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.1мм

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments