
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Драйвер общего назначения
Диапазон выходных частот
0.01mA
Число контактов
3
Время спада
10μs
Корпус
SOT-223
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
10μs
Минимальное напряжение питания
5.5V
Количество драйверов
1
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
5.5V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.7мм
Материал каски/сварочной маски
1.8мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics VNL5050N3-E are monolithic devices made using VI Power technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side connected to the battery. This built-in thermal shutdown protect the chip from over temperature and short-circuit. The output current limitation protect the device in an overload condition. In case of long duration overload, the device limit the dissipated power to a safe level up to thermal shutdown intervention. It has thermal shutdown, with automatic restart, allows the device to recover normal operation as soon as a fault condition disappears. It used fast demagnetization of inductive loads is achieved at turn-off.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Драйвер общего назначения
Диапазон выходных частот
0.01mA
Число контактов
3
Время спада
10μs
Корпус
SOT-223
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
10μs
Минимальное напряжение питания
5.5V
Количество драйверов
1
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
5.5V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
6.7мм
Материал каски/сварочной маски
1.8мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics VNL5050N3-E are monolithic devices made using VI Power technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side connected to the battery. This built-in thermal shutdown protect the chip from over temperature and short-circuit. The output current limitation protect the device in an overload condition. In case of long duration overload, the device limit the dissipated power to a safe level up to thermal shutdown intervention. It has thermal shutdown, with automatic restart, allows the device to recover normal operation as soon as a fault condition disappears. It used fast demagnetization of inductive loads is achieved at turn-off.