STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 12 A, 800 V, 3-Pin TO-220 STP13N80K5

Код товара RS: 791-7807PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP13N80K5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 12 A, 800 V, 3-Pin TO-220 STP13N80K5
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Channel MOSFET, 12 A, 800 V, 3-Pin TO-220 STP13N80K5
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.75мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics