Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Высота
16.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
9 A
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
TO-220FP
Серия
MDmesh, SuperMESH
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
32 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Высота
16.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре