STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 8.6 A, 700 V, 3-Pin TO-220FP STP10NK70ZFP

Код товара RS: 920-8846Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP10NK70ZFP
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Высота

16.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 8.6 A, 700 V, 3-Pin TO-220FP STP10NK70ZFP

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 8.6 A, 700 V, 3-Pin TO-220FP STP10NK70ZFP
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

8,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

700 V

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

64 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Высота

16.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics