STMicroelectronics STL18N65M5 MOSFET

Код товара RS: 792-5899PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL18N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

710 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

240 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

6.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STL18N65M5 MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics STL18N65M5 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

710 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

PowerFLAT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

240 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

6.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics