STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N

Код товара RS: 761-2751PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STF13NM60N
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

16.4мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
Select packaging type

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh

Тип корпуса

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

16.4мм

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать