Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
554.5 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DFNW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
660 μΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
245.4 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
8мм
Длина
8.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
126 nC @ 4.5 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.15мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
554.5 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DFNW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
660 μΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
245.4 W
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
8мм
Длина
8.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
126 nC @ 4.5 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.15мм