ON Semiconductor NTJD4152PT1G MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

880 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

1.35мм

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,2 нКл при 4,5 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China