onsemi N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NDT3055L
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.56мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1.6мм
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 318,65
тг 263,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 318,65
тг 263,73 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 263,73 | тг 1 318,65 |
| 25 - 95 | тг 205,62 | тг 1 028,10 |
| 100 - 245 | тг 138,57 | тг 692,85 |
| 250 - 495 | тг 134,10 | тг 670,50 |
| 500+ | тг 134,10 | тг 670,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.56мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1.6мм
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.