ON Semiconductor FDPF2D3N10C MOSFET

Код товара RS: 181-1861Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDPF2D3N10C
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

222 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

108 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

16.07мм

Страна происхождения

China

P.O.A.

ON Semiconductor FDPF2D3N10C MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor FDPF2D3N10C MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

222 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.9мм

Длина

10.36мм

Типичный заряд затвора при Vgs

108 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.3V

Высота

16.07мм

Страна происхождения

China