onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 1.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 FDN338P
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
115 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
4,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 251,60
тг 125,16 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 251,60
тг 125,16 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
| 50 - 90 | тг 120,69 | тг 1 206,90 |
| 100 - 240 | тг 62,58 | тг 625,80 |
| 250 - 490 | тг 62,58 | тг 625,80 |
| 500+ | тг 62,58 | тг 625,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,6 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
115 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Типичный заряд затвора при Vgs
4,4 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.