onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 20 A, 200 V, 8-Pin PQFN8 FDMS2672
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Серия
UltraFET
Тип корпуса
Power 56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
156 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
78 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
6мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 314 180,00
тг 438,06 Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
3000
тг 1 314 180,00
тг 438,06 Each (On a Reel of 3000) (ex VAT)
3000
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | тг 438,06 | тг 1 314 180,00 |
| 15000 - 27000 | тг 429,12 | тг 1 287 360,00 |
| 30000+ | тг 420,18 | тг 1 260 540,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Серия
UltraFET
Тип корпуса
Power 56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
156 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
78 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
30 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
6мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.