onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 5.5 A, 7 A, 30 V, 8-Pin ECH ECH8661-TL-H
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
5.5 A, 7 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
ECH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
24 мОм, 39 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.9мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 3 464,25
тг 138,57 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 464,25
тг 138,57 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 138,57 | тг 3 464,25 |
| 50 - 100 | тг 125,16 | тг 3 129,00 |
| 125 - 475 | тг 116,22 | тг 2 905,50 |
| 500 - 975 | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
| 1000+ | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
5.5 A, 7 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
ECH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
24 мОм, 39 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
2.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.9мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.