IXYS Linear L2 N-Channel MOSFET, 178 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXTN200N10L2
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
178 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
Linear L2
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
830 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
25.07мм
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
540 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
9.6мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
178 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
Linear L2
Тип корпуса
SOT-227
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
11 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
830 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
25.07мм
Длина
38.23мм
Типичный заряд затвора при Vgs
540 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.4V
Высота
9.6мм
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS