IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P

Код товара RS: 920-0748Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFN140N30P
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

115 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

25.07мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

38.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

185 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

P.O.A.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P

P.O.A.

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

115 A

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Серия

HiperFET, Polar

Тип корпуса

SOT-227

Тип монтажа

Винтовой монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

25.07мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

38.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

185 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.6мм

Страна происхождения

United States

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS