IXYS IXFH96N20P MOSFET

Код товара RS: 193-442Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXFH96N20PDistrelec Article No.: 30253340
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

96 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

600 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

145 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 458,50

тг 2 458,50 Each (ex VAT)

IXYS IXFH96N20P MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 458,50
2тг 4 917,00
3тг 7 375,50
4тг 9 834,00
5тг 12 024,30
6тг 14 429,16
7тг 16 834,02
8тг 19 238,88
9тг 21 643,74
10тг 24 048,60
11тг 26 453,46
12тг 28 858,32
13тг 31 263,18
14тг 33 668,04
15тг 36 072,90

тг 2 458,50

тг 2 458,50 Each (ex VAT)

IXYS IXFH96N20P MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 458,50
2тг 4 917,00
3тг 7 375,50
4тг 9 834,00
5тг 12 024,30
6тг 14 429,16
7тг 16 834,02
8тг 19 238,88
9тг 21 643,74
10тг 24 048,60
11тг 26 453,46
12тг 28 858,32
13тг 31 263,18
14тг 33 668,04
15тг 36 072,90

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 2 458,50
5 - 19тг 2 404,86
20 - 49тг 2 074,08
50 - 99тг 2 024,91
100+тг 1 707,54
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

96 A

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

TO-247

Серия

HiperFET, Polar

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Максимальное рассеяние мощности

600 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

16.26мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

145 нКл при 10 В

Ширина

5.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Вас может заинтересовать