Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
270 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
380 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Типичный заряд затвора при Vgs
91 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм
тг 3 674,34
тг 1 837,17 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
тг 3 674,34
тг 1 837,17 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 8 | тг 1 837,17 | тг 3 674,34 |
10 - 18 | тг 1 104,09 | тг 2 208,18 |
20 - 38 | тг 1 081,74 | тг 2 163,48 |
40 - 98 | тг 1 059,39 | тг 2 118,78 |
100+ | тг 1 028,10 | тг 2 056,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
270 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
380 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +16 В
Типичный заряд затвора при Vgs
91 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.67мм
Ширина
9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.83мм