Infineon IRLS3036PBF MOSFET

Код товара RS: 688-7263Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRLS3036PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

270 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

380 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

91 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Вас может заинтересовать
Infineon IRLS3036TRLPBF MOSFET
P.O.A.Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 674,34

тг 1 837,17 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IRLS3036PBF MOSFET

тг 3 674,34

тг 1 837,17 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon IRLS3036PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 1 837,17тг 3 674,34
10 - 18тг 1 104,09тг 2 208,18
20 - 38тг 1 081,74тг 2 163,48
40 - 98тг 1 059,39тг 2 118,78
100+тг 1 028,10тг 2 056,20
Вас может заинтересовать
Infineon IRLS3036TRLPBF MOSFET
P.O.A.Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

270 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

380 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

91 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.67мм

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Вас может заинтересовать
Infineon IRLS3036TRLPBF MOSFET
P.O.A.Each (In a Pack of 2) (ex VAT)