Infineon IRFTS9342TRPBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TSOP-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
66 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
HEXFET
Тип корпуса
TSOP-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
66 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.