Infineon N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB IRFB7430PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
195 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
StrongIRFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
460 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
16.51мм
Информация о товаре
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
195 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Серия
StrongIRFET
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.2V
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Типичный заряд затвора при Vgs
460 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
16.51мм
Информация о товаре
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.