Infineon IRF9362PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
26 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
тг 2 100,90
тг 420,18 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 100,90
тг 420,18 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 420,18 | тг 2 100,90 |
| 25 - 95 | тг 214,56 | тг 1 072,80 |
| 100 - 245 | тг 178,80 | тг 894,00 |
| 250 - 495 | тг 174,33 | тг 871,65 |
| 500+ | тг 169,86 | тг 849,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.3V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
26 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм