Infineon IRF5210STRLPBF MOSFET

Код товара RS: 165-5892Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF5210STRLPBF
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

170 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon IRF5210STRLPBF MOSFET

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

P.O.A.

Infineon IRF5210STRLPBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 800
1P.O.A.
801P.O.A.
1601P.O.A.
2401P.O.A.
3201P.O.A.
4001P.O.A.
4801P.O.A.
5601P.O.A.
6401P.O.A.
7201P.O.A.
8001P.O.A.
8801P.O.A.
9601P.O.A.
10401P.O.A.
11201P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

60 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

170 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.65мм

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

150 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.