Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD042P03L3GATMA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
OptiMOS P
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
131 нКл при 10 В
Ширина
5.97мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.41мм
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 5 766,30
тг 576,63 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 5 766,30
тг 576,63 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 240 | тг 576,63 | тг 5 766,30 |
| 250 - 740 | тг 411,24 | тг 4 112,40 |
| 750 - 1190 | тг 348,66 | тг 3 486,60 |
| 1200 - 2490 | тг 339,72 | тг 3 397,20 |
| 2500+ | тг 330,78 | тг 3 307,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Серия
OptiMOS P
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
131 нКл при 10 В
Ширина
5.97мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.41мм
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.