Infineon IPB17N25S3100ATMA1 MOSFET

Код товара RS: 165-5608Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPB17N25S3100ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

OptiMOS-T

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

107 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.25мм

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.4мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Infineon IPB17N25S3100ATMA1 MOSFET

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

P.O.A.

Infineon IPB17N25S3100ATMA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Серия

OptiMOS-T

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

100 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

107 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

9.25мм

Длина

10мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.4мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.