Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,18 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
OptiMOS P
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,6 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 11 175,00
тг 44,70 Each (On a Reel of 250) (ex VAT)
250
тг 11 175,00
тг 44,70 Each (On a Reel of 250) (ex VAT)
250
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 250 - 750 | тг 44,70 | тг 11 175,00 |
| 1000 - 2750 | тг 35,76 | тг 8 940,00 |
| 3000 - 5750 | тг 26,82 | тг 6 705,00 |
| 6000+ | тг 22,35 | тг 5 587,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,18 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Серия
OptiMOS P
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
280 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,6 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.