Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
230 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 11 175,00
тг 22,35 Each (On a Reel of 500) (ex VAT)
500
тг 11 175,00
тг 22,35 Each (On a Reel of 500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
500
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Катушка |
---|---|---|
500 - 1000 | тг 22,35 | тг 11 175,00 |
1500 - 2500 | тг 22,35 | тг 11 175,00 |
3000 - 5500 | тг 17,88 | тг 8 940,00 |
6000+ | тг 13,41 | тг 6 705,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
230 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Серия
SIPMOS
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.