Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6327XTSA2

Код товара RS: 826-9954Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS138NH6327XTSA2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

230 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

SIPMOS

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 11 175,00

тг 22,35 Each (On a Reel of 500) (ex VAT)

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6327XTSA2

тг 11 175,00

тг 22,35 Each (On a Reel of 500) (ex VAT)

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 230 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS138NH6327XTSA2

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Катушка
500 - 1000тг 22,35тг 11 175,00
1500 - 2500тг 22,35тг 11 175,00
3000 - 5500тг 17,88тг 8 940,00
6000+тг 13,41тг 6 705,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

230 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

SIPMOS

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.