Infineon BSS127H6327XTSA2 MOSFET

Код товара RS: 165-7534Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSS127H6327XTSA2
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,65 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.3мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

P.O.A.

Infineon BSS127H6327XTSA2 MOSFET

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

P.O.A.

Infineon BSS127H6327XTSA2 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

21 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

SOT-23

Серия

SIPMOS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,65 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.3мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.