Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.6 A, 4.7 A, 60 V, 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA

Код товара RS: 823-4059Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMC4559DN8TA
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

2,6 А, 4,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм, 125 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20,4 нКл при 10 В, 24,2 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 811,00

тг 290,55 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.6 A, 4.7 A, 60 V, 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 5 811,00
40тг 11 622,00
60тг 17 433,00
80тг 23 244,00
100тг 25 479,00
120тг 30 574,80
140тг 35 670,60
160тг 40 766,40
180тг 45 862,20
200тг 37 548,00
220тг 41 302,80
240тг 45 057,60
260тг 48 812,40
280тг 52 567,20
300тг 48 276,00

тг 5 811,00

тг 290,55 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.6 A, 4.7 A, 60 V, 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 5 811,00
40тг 11 622,00
60тг 17 433,00
80тг 23 244,00
100тг 25 479,00
120тг 30 574,80
140тг 35 670,60
160тг 40 766,40
180тг 45 862,20
200тг 37 548,00
220тг 41 302,80
240тг 45 057,60
260тг 48 812,40
280тг 52 567,20
300тг 48 276,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 290,55тг 5 811,00
100 - 180тг 254,79тг 5 095,80
200 - 280тг 187,74тг 3 754,80
300 - 480тг 160,92тг 3 218,40
500+тг 147,51тг 2 950,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

2,6 А, 4,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм, 125 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.95мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

4.95мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20,4 нКл при 10 В, 24,2 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.