Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
1,08 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
99 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
1,08 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре