Diodes Inc N-Channel MOSFET, 12.2 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4036LK3-13

Код товара RS: 751-4199Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN4036LK3-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

61 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

8,49 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

9,2 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.39мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

тг 3 799,50

тг 151,98 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 12.2 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4036LK3-13
Select packaging type

тг 3 799,50

тг 151,98 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 12.2 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4036LK3-13

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 151,98тг 3 799,50
125 - 600тг 93,87тг 2 346,75
625 - 1225тг 93,87тг 2 346,75
1250 - 2475тг 75,99тг 1 899,75
2500+тг 67,05тг 1 676,25

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

61 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

8,49 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

9,2 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.39мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.