Diodes Inc N-Channel MOSFET, 28 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4026SK3-13

Код товара RS: 921-1287PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMN4026SK3-13
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

21,3 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 28 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4026SK3-13
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 28 A, 40 V, 3-Pin DPAK DMN4026SK3-13
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

21,3 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.39мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.