Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
21,3 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
28 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
32 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,4 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
6.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
21,3 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1V
Информация о товаре