Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS27DN-T1-GE3

Код товара RS: 919-4299Бренд: VishayПарт-номер производителя: SISS27DN-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

23 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

92 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.78мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS27DN-T1-GE3

P.O.A.

Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 23 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS27DN-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

23 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Серия

TrenchFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.3мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

92 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.78мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor