Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Серия
TrenchFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
57 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
92 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.78мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Серия
TrenchFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
57 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
3.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.3мм
Типичный заряд затвора при Vgs
92 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.78мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре