Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3

Код товара RS: 814-1225Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIA517DJ-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А, 4,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ, 170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

6,5 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

2.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13,1 нКл при 8 В, 9,7 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 933,60

тг 196,68 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 3 933,60
40тг 7 867,20
60тг 11 800,80
80тг 15 734,40
100тг 19 668,00
120тг 23 601,60
140тг 27 535,20
160тг 31 468,80
180тг 35 402,40
200тг 39 336,00
220тг 43 269,60
240тг 47 203,20
260тг 51 136,80
280тг 55 070,40
300тг 42 912,00

тг 3 933,60

тг 196,68 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 3 933,60
40тг 7 867,20
60тг 11 800,80
80тг 15 734,40
100тг 19 668,00
120тг 23 601,60
140тг 27 535,20
160тг 31 468,80
180тг 35 402,40
200тг 39 336,00
220тг 43 269,60
240тг 47 203,20
260тг 51 136,80
280тг 55 070,40
300тг 42 912,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 280тг 196,68тг 3 933,60
300 - 580тг 143,04тг 2 860,80
600 - 1480тг 120,69тг 2 413,80
1500 - 2980тг 116,22тг 2 324,40
3000+тг 111,75тг 2 235,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А, 4,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ, 170 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

6,5 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

2.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

2.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

13,1 нКл при 8 В, 9,7 нКл при 8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor