Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Vishay IRFD014PBF MOSFET

Код товара RS: 541-0581Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFD014PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

3.37мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFD014 1.7A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 612,39

тг 612,39 Each (ex VAT)

Vishay IRFD014PBF MOSFET
Select packaging type

тг 612,39

тг 612,39 Each (ex VAT)

Vishay IRFD014PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 612,39
25 - 99тг 259,26
100 - 249тг 227,97
250 - 499тг 196,68
500+тг 169,86
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFD014 1.7A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

HVMDIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

11 нКл при 10 В

Ширина

6.29мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

3.37мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFD014 1.7A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)