Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
3.37мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 612,39
тг 612,39 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 612,39
тг 612,39 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 24 | тг 612,39 |
25 - 99 | тг 259,26 |
100 - 249 | тг 227,97 |
250 - 499 | тг 196,68 |
500+ | тг 169,86 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
HVMDIP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Ширина
6.29мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
3.37мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре