Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Серия
TrenchFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.6V
Максимальное рассеяние мощности
65,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
5мм
Длина
5.99мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Высота
1.07мм
Страна происхождения
China
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Vishay SiliconixТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
PowerPAK SO-8
Серия
TrenchFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
4 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
3.6V
Максимальное рассеяние мощности
65,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
5мм
Длина
5.99мм
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.1V
Высота
1.07мм
Страна происхождения
China