Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1

Код товара RS: 796-5099Бренд: ToshibaПарт-номер производителя: TK40E06N1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

67 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,SUP60N0618 60A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 033,85

тг 406,77 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1
Select packaging type

тг 2 033,85

тг 406,77 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 TK40E06N1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 406,77тг 2 033,85
25 - 245тг 348,66тг 1 743,30
250 - 495тг 303,96тг 1 519,80
500 - 995тг 205,62тг 1 028,10
1000+тг 174,33тг 871,65
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,SUP60N0618 60A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Toshiba

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

TK

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

67 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4.45мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.16мм

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

15.1мм

Информация о товаре

MOSFET Transistors, Toshiba

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,SUP60N0618 60A 60V
P.O.A.Each (ex VAT)