Toshiba N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
55 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
72 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
15.1мм
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
тг 2 212,65
тг 442,53 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 212,65
тг 442,53 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 442,53 | тг 2 212,65 |
| 25 - 245 | тг 379,95 | тг 1 899,75 |
| 250 - 945 | тг 330,78 | тг 1 653,90 |
| 950 - 1895 | тг 219,03 | тг 1 095,15 |
| 1900+ | тг 183,27 | тг 916,35 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ToshibaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
55 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
TK
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
12,2 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
72 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
10.16мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.45мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
15.1мм
Информация о товаре
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba