Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT

Код товара RS: 900-9857Бренд: Texas InstrumentsПарт-номер производителя: CSD19536KTTT
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

272 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 0 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V, 3-Pin D2PAK CSD19536KTTT
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Texas Instruments

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

272 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

NexFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

9.65мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.67мм

Типичный заряд затвора при Vgs

118 нКл при 0 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о товаре

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments