STMicroelectronics MDmesh M5 N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STW30N65M5
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
139 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
64 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 3 151,35
тг 3 151,35 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 3 151,35
тг 3 151,35 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 3 151,35 |
| 10 - 29 | тг 2 833,98 |
| 30 - 59 | тг 2 641,77 |
| 60 - 119 | тг 2 583,66 |
| 120+ | тг 2 333,34 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Тип корпуса
TO-247
Серия
MDmesh M5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
139 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Типичный заряд затвора при Vgs
64 нКл при 10 В
Ширина
5.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.15мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.