Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

STMicroelectronics P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6

Код товара RS: 876-5702PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STR2P3LLH6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.75мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.3мм

Прямое напряжение диода

1.1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.75мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.3мм

Прямое напряжение диода

1.1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics