STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 7.2 A, 500 V, 3-Pin TO-220 STP9NK50Z

Код товара RS: 920-8708Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP9NK50Z
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 7.2 A, 500 V, 3-Pin TO-220 STP9NK50Z

P.O.A.

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 7.2 A, 500 V, 3-Pin TO-220 STP9NK50Z
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,2 А

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

850 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics