STMicroelectronics STP60NF06 MOSFET

Код товара RS: 485-7800Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP60NF06
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 570,25

тг 514,05 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP60NF06 MOSFET
Select packaging type

тг 2 570,25

тг 514,05 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

STMicroelectronics STP60NF06 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 514,05тг 2 570,25
25 - 95тг 393,36тг 1 966,80
100 - 245тг 321,84тг 1 609,20
250 - 495тг 317,37тг 1 586,85
500+тг 290,55тг 1 452,75
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

STripFET II

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

16 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Ширина

4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.4мм

Высота

9.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Вас может заинтересовать