STMicroelectronics STP16N65M5 MOSFET

Код товара RS: 168-6696Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STP16N65M5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

299 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+25 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.6мм

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.15мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STP16N65M5 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STP16N65M5 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

MDmesh M5

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

299 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+25 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.6мм

Длина

10.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

31 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

9.15мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics

The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics