Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

STMicroelectronics STN1HNK60 MOSFET

Код товара RS: 687-5131Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STN1HNK60
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

400 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.25V

Максимальное рассеяние мощности

3,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

3.5мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 324,40

тг 232,44 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STN1HNK60 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 2 324,40
20тг 4 648,80
30тг 6 973,20
40тг 9 297,60
50тг 9 610,50
60тг 11 532,60
70тг 13 454,70
80тг 15 376,80
90тг 17 298,90
100тг 15 198,00
110тг 16 717,80
120тг 18 237,60
130тг 19 757,40
140тг 21 277,20
150тг 22 797,00

тг 2 324,40

тг 232,44 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STN1HNK60 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 2 324,40
20тг 4 648,80
30тг 6 973,20
40тг 9 297,60
50тг 9 610,50
60тг 11 532,60
70тг 13 454,70
80тг 15 376,80
90тг 17 298,90
100тг 15 198,00
110тг 16 717,80
120тг 18 237,60
130тг 19 757,40
140тг 21 277,20
150тг 22 797,00

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 232,44тг 2 324,40
50 - 90тг 192,21тг 1 922,10
100 - 240тг 151,98тг 1 519,80
250 - 490тг 143,04тг 1 430,40
500+тг 138,57тг 1 385,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

STMicroelectronics

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

400 мА

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Серия

MDmesh, SuperMESH

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

8,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.7V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.25V

Максимальное рассеяние мощности

3,3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

7 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

3.5мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics