Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
PowerFLAT
Серия
MDmesh K5, SuperMESH5
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
38 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Длина
6.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10,5 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.4мм
Высота
0.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,5 А
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
PowerFLAT
Серия
MDmesh K5, SuperMESH5
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
5V
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
38 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Длина
6.35мм
Типичный заряд затвора при Vgs
10,5 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.4мм
Высота
0.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре