STMicroelectronics STL4N80K5 MOSFET

Код товара RS: 168-7111Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL4N80K5
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

PowerFLAT

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,5 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.4мм

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics STL4N80K5 MOSFET

P.O.A.

STMicroelectronics STL4N80K5 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

PowerFLAT

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Длина

6.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

10,5 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.4мм

Высота

0.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics