STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL45N60DM6

Код товара RS: 192-4899PБренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STL45N60DM6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

HV

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.25V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

8.1мм

Длина

8.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

0.9мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL45N60DM6
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL45N60DM6
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

HV

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Минимальное пороговое напряжение включения

3.25V

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

8.1мм

Длина

8.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

0.9мм

Страна происхождения

China