Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Модуль драйвера затвора
Диапазон выходных частот
6A
Число контактов
16
Корпус
SO-16
Время спада
5ns
Тип драйвера
Драйвер для управления затвором
Минимальное напряжение питания
3.3V
Количество драйверов
2
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
5V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Серия
STDRI
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics STDRIVEG600 is a single chip half-bridge gate driver for enhancement mode GaN FETs or N-channel power MOSFET. The high-side section is designed to stand a voltage up to 600 V and is suitable for designs with bus voltage up to 500 V. The device is designed for driving high-speed GaN and Si FETs thanks to high current capability, short propagation delay and operation with supply voltage down to 5 V.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Модуль драйвера затвора
Диапазон выходных частот
6A
Число контактов
16
Корпус
SO-16
Время спада
5ns
Тип драйвера
Драйвер для управления затвором
Минимальное напряжение питания
3.3V
Количество драйверов
2
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
5V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Серия
STDRI
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics STDRIVEG600 is a single chip half-bridge gate driver for enhancement mode GaN FETs or N-channel power MOSFET. The high-side section is designed to stand a voltage up to 600 V and is suitable for designs with bus voltage up to 500 V. The device is designed for driving high-speed GaN and Si FETs thanks to high current capability, short propagation delay and operation with supply voltage down to 5 V.