STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 11 A, 3-Pin DPAK STD13N60DM2

Код товара RS: 188-8287Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD13N60DM2
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.2мм

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.6V

Высота

2.17мм

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 11 A, 3-Pin DPAK STD13N60DM2

P.O.A.

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 11 A, 3-Pin DPAK STD13N60DM2
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

5V

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.2мм

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.6V

Высота

2.17мм