STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB6N60M2
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.35мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
тг 2 324,40
тг 464,88 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 2 324,40
тг 464,88 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 45 | тг 464,88 | тг 2 324,40 |
| 50 - 245 | тг 357,60 | тг 1 788,00 |
| 250 - 495 | тг 286,08 | тг 1 430,40 |
| 500 - 995 | тг 236,91 | тг 1 184,55 |
| 1000+ | тг 210,09 | тг 1 050,45 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Серия
MDmesh M2
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
4.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.35мм
Информация о товаре
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).